磨料對平面拋光效果的影響
發(fā)表時間：2015-01-21
磨料對平面拋光效果的影響
平面拋光過程中磨料的作用是借助于機械力，將晶片表而經(jīng)化學反應后形成的鈍化膜去除，從而達到表而平整化的目的。日前常用的磨料有膠體SiO2 、Al2O3及CeO2等。
磨料的種類決定了磨粒的硬度、尺寸，從而影響拋光效果。拋光鋁實驗中，相對于SiO2、Al2O3磨料能獲得較好的表而平整度，表而刮痕數(shù)量少、尺寸小，其原因是膠體SiO2磨粒尺寸小，拋光時磨料嵌入晶片表面的深度較小，并且在優(yōu)選其它參數(shù)的情況下，也能獲得很高的拋光效率。
磨料的濃度會影響拋光效果。拋光鋁實驗中，隨著磨料 (膠體SiO2)濃度的提高，單位而積參與磨削的磨粒數(shù)日增加，所以拋光效率提高，表而刮痕尺寸緩慢增人或基本保持不變; 但磨料濃度過人時，拋光液的粘性增人，流動性降低，影響加工表而氧化層的有效形成，導致拋光效率降低。磨粒的尺寸也會對拋光效果產(chǎn)生影響，磨粒尺寸越小，表而損傷層厚度小。據(jù)統(tǒng)計，在硅片的精拋過程中，每次磨削層的厚度僅為磨粒尺寸的四分之一。為了有效地減小表而粗糙度和損傷層厚度，通常采用小尺寸的膠體硅(15~20nm)來代替粗拋時的膠體硅(50~70rnm);同時通過加強化學反應及提高產(chǎn)物的排除速度來提高拋光效率。
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